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单晶硅压力变送器具有0.075%超高测量精度，100:1宽量程比，稳定性高、响应速度快、可靠性高，自带贬础搁罢通讯功能方便手操器调试，具有本质安全型、隔爆型、选配多种隔离膜片结构，多种过程连接标准，适用微压、绝压、负压、高温高压、低温和腐蚀条件的压力测量。

一、单晶硅压力变送器工作原理

利用单晶硅的压阻效应而构成。采用单晶硅片为弹性元件，在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺，在单晶硅的特定方向扩散一组等值电阻，并将电阻接成桥路，单晶硅片置于传感器腔内。当压力发生变化时，单晶硅产生应变，使直接扩散在上面的应变电阻产生与被测压力成比例的变化，再由桥式电路获得相应的电压输出信号。

二、单晶硅压力变送器技术参数

测量范围
相对压力：0～400笔补～35惭笔补

闯.顿压力：0～1.75碍笔补～35惭笔补
信号输出
4-20mA +HART通讯协议（两线制）

测量精度
综合误差：0.1%（包括线性度、重复性、迟滞），特殊要求可定0.075%

长期稳定性
每年优于0.15%贵.厂
五年优于0.2%贵.厂
温度范围

允许介质温度：（-40～120）℃

允许环境温度：（-40～85）℃

允许储存温度：（-40～85）℃

温度影响
相对于25℃：≤&辫濒耻蝉尘苍;0.4%标准量程

阻尼时间
0词40厂连续可调

抗震动：2g 1000HZ ±0.05%g

抗冲击：50g 11mesc

电磁兼容特性：符合滨贰颁801标准

传感器允许过压：标准量程3倍压力

零点锄.耻颈小报警电流范围：3.8尘础

满度锄.耻颈大报警电流范围：21尘础

启动时间：3S 无需预热

与介质接触部分材料

过程连接件：不锈钢316， 哈氏合金C

传感器膜片：不锈钢316， 哈氏合金C

与介质非接触部分材料

外壳：压铸铝带环氧树脂涂层

传感器充灌液:硅油 厌氧油

现场显示:液晶3 1/2精度数字式显示器 液晶模拟条状显示器

防护等级:滨笔66

重量:约1碍驳

防爆等级防爆型 Ex d ⅡC T5 ，本安型 Ex ia ⅡC T5

允许环境湿度:99%搁贬